Продукти - Частина 3

KTP Кристал

Арсенат титанілу калію (KTiOAsO4), або кристал KTA, є чудовим нелінійним оптичним кристалом для оптичних параметричних коливань (OPO).Він має кращі нелінійно-оптичні та електрооптичні коефіцієнти, значно знижене поглинання в області 2,0-5,0 мкм, широку кутову та температурну смугу пропускання, низьку діелектричну проникність.
Cr2+: ZnSe

Насичувані поглиначі Cr²+:ZnSe (SA) є ідеальними матеріалами для пасивних Q-перемикачів безпечних для очей волоконних і твердотільних лазерів, що працюють у спектральному діапазоні 1,5-2,1 мкм.
Кристал ZnTe

Телурид цинку — це бінарна хімічна сполука з формулою ZnTe.DIEN TECH виготовляє кристал ZnTe з кристалічною віссю <110>, який є ідеальним матеріалом, який використовується для гарантування імпульсу терагерцевої частоти за допомогою нелінійного оптичного процесу, що називається оптичним випрямленням, використовуючи світловий імпульс високої інтенсивності тривалістю субпікосекундний.Елементи ZnTe, які надає DIEN TECH, не містять подвійних дефектів.
Fe:ZnSe/Fe:ZnS

Fe²+:ZnSe насичувані поглиначі (SA), леговані селенідом цинку, леговані залізом, є ідеальними матеріалами для пасивних Q-перемикачів твердотільних лазерів, що працюють у спектральному діапазоні 2,5-4,0 мкм.
Цистали PPKTP

Періодично поляризований титанілфосфат калію (PPKTP) — це сегнетоелектричний нелінійний кристал з унікальною структурою, яка забезпечує ефективне перетворення частоти за допомогою квазі-фазового узгодження (QPM).
Кристал HgGa2S4

Високі значення порогу лазерного пошкодження та ефективності перетворення дозволяють використовувати тіогаллат ртуті HgGa₂S₄(HGS) нелінійні кристали для подвоєння частоти та OPO/OPA в діапазоні довжин хвиль від 1,0 до 10 мкм.Встановлено, що ефективність СВГ СО₂лазерне випромінювання для HgGa довжиною 4 мм₂S₄елемента близько 10 % (тривалість імпульсу 30 нс, густина потужності випромінювання 60 МВт/см²).Висока ефективність перетворення та широкий діапазон налаштування довжини хвилі випромінювання дозволяє очікувати, що цей матеріал може конкурувати з AgGaS₂, AgGaSe₂, ZnGeP₂і кристали GaSe, незважаючи на значну складність процесу вирощування кристалів великих розмірів.