Джерела терагерцового діапазону завжди були однією з найважливіших технологій у галузі ТГц випромінювання. Було доведено, що багато способів функціонують для досягнення ТГц випромінювання. Як правило, електроніка та фотоніка.У галузі фотоніки нелінійна оптична генерація різницевої частоти на основі нелінійних кристалів з великим нелінійним коефіцієнтом і високим порогом оптичного пошкодження є одним із способів отримання високопотужної, регульованої, портативної та робочої хвилі ТГц при кімнатній температурі.Найбільше застосування знаходять нелінійні кристали GaSe та ZnGeP2(ZGP).
Кристали GaSe з низьким поглинанням на міліметровій і ТГц-хвилі, високим порогом пошкодження та високим другим нелінійним коефіцієнтом (d22 = 54 пм/В) зазвичай використовуються для обробки терагерцової хвилі в межах 40 мкм, а також довгохвильової регульованої хвилі ТГц (понад 40 мкм).Було доведено, що перестроювана хвиля ТГц на частоті 2,60–39,07 мкм при куті узгодження 11,19°–23,86°[eoo (e - o = o)], а вихідна частота 2,60–36,68 мкм — при куті узгодження 12,19°–27,01°[eoe (e - o = e)].Крім того, регульована ТГц хвиля 42,39-5663,67 мкм була отримана при куті збігу 1,13°-84,71° [oee (o - e = e)].
Кристали ZnGeP2 (ZGP) з високим коефіцієнтом нелінійності, високою теплопровідністю, високим порогом оптичного пошкодження також досліджуються як чудове джерело ТГц.ZnGeP2 також має другий нелінійний коефіцієнт при d36 = 75 пм/В), що в 160 разів перевищує кристали KDP.Кут узгодження фази двох типів кристалів ZGP (1,03°-10,34°[oee (oe = e)] & 1,04°-10,39°[oeo (oe= e)]) обробляє аналогічний ТГц вихід (43,01 -5663,67 мкм), Тип oeo виявився кращим вибором через його вищий ефективний нелінійний коефіцієнт.Протягом дуже тривалого часу продуктивність кристалів ZnGeP2 як терагерцевого джерела була обмеженою, оскільки кристали ZnGeP2 від інших постачальників мають високе поглинання в ближній інфрачервоній області (1-2 мкм): коефіцієнт поглинання >0,7 см-1 при 1 мкм і >0,06 см-1@2мкм.Однак DIEN TECH надає кристали ZGP (модель: YS-ZGP) із наднизьким поглинанням: коефіцієнт поглинання <0,35 см-1@1 мкм і <0,02 см-1@2 мкм.Удосконалені кристали YS-ZGP дозволяють користувачам досягти значно кращого результату.
Посилання:'基于 GaSe 和 Zn GeP2 晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究'2008 Chin.фіз.Соц.
