Рекомендоване зображення кристалів Nd:YAP

Кристали Nd:YAP

Хімічна формула:YAlO3:Nd3+

Кристалічна структура:D162h

Стала решітки:a=5,176, b=5,307, c=7,355

Показник заломлення:na=1929, nb=1943, nc=1952

dn/dT:na:9,7x10-6 K-1 nc:14,5x10-6 K-1

Щільність:5,35 г/см3

Точка плавлення:1870°C

Питома теплоємність:400 Дж/(кг К)

Теплопровідність:0,11 Вт/(см·К)

Теплове розширення:9,5 x 10-6 K-1 (вісь a) 4,3 x 10-6 K-1 (вісь b) 10,8 x 10-6 K-1 (вісь c)

Твердість по Кнупу:977 (вісь)

WhatsApp Надішліть нам електронний лист Завантажити як PDF

Деталі продукту

Основні властивості

Nd:YAP AlO3 перовскіт (YAP) є добре відомим хостом для твердотільних лазерів.Кристалічна анізотропія YAP пропонує численні переваги. Вона дозволяє невелике налаштування довжини хвилі шляхом зміни напрямку хвильового вектора в кристалі.Крім того, вихідний промінь є лінійно поляризованим.
Переваги кристалів Nd:YAP:
Порівнянний поріг і ефективність нахилу при 1079 нм до Nd:YAG при 1064 нм
Вища ефективність при 1340 нм порівняно з Nd:YAG при 1319 нм
Лінійно поляризований вихідний промінь
Вище поглинання у воді та рідинах організму 1340 нм порівняно з 1319 нм

Хімічна формула	YAlO3:Nd3+
Кристалічна структура	D162h
Стала решітки	a=5,176, b=5,307, c=7,355
Показник заломлення	na=1929, nb=1943, nc=1952
dn/dT	на:9,7×10-6 К-1 nc:14,5×10-6 K-1
Щільність	5,35 г/см3
Точка плавлення	1870°C
Питома теплоємність	400 Дж/(кг К)
Теплопровідність	0,11 Вт/(см·К)
Теплове розширення	9,5 х 10-6 К-1 (вісь) 4,3 x 10-6 K-1 (вісь b) 10,8 x 10-6 K-1 (вісь c)
Твердість по Кнупу	977 (вісь)

Технічні характеристики:

Концентрація допанту	Nd 0,7-0,9 ат% для cwat імпульсу t 1079 нм 0,85~0,95 ат% для cwat 1340 нм. Інші концентрації допантів доступні за запитом.
Орієнтація	в межах 5°
Розміри вудилищ	Діаметр 2~10мм Довжина 20~150мм За бажанням клієнтаr
Допуски на розміри	Діаметр +0,00/-0,05 мм, довжина: ± 0,5 мм
Оздоблення бочки	Шліфований і полірований
Паралелізм	≤10″
Перпендикулярність	≤5′
площинність	< λ/10 @632,8 нм
Якість поверхні	10-5 (MIL-0-13830B)
Фаска	0,15±0,05 мм
Відбиваюча здатність покриття AR	< 0,25% (@W64nm)